Tekinolosi
Molecular beam epitaxy, po'o le MBE, o se auala fou mo le fa'atupuina o ata manifinifi maualuga maualuga o tioata i luga o mea tioata. I tulaga gaogao ultra-maualuga, e ala i le ogaumu faʻavevela ua faʻapipiʻiina i ituaiga uma o vaega manaʻomia ma faʻatupuina le ausa, e ala i pu na faia ina ua maeʻa le collimating beam atomic poʻo le molecular beam, tui tuusaʻo i le vevela talafeagai o le substrate tioata tasi, pulea le mole mole e. le substrate su'esu'e i le taimi lava e tasi, e mafai ona faia le molelaula po o atoms i laulau alignment tioata e fausia ai se ata manifinifi i luga o se substrate "tuputupu ae".
Mo le faʻagaioiga masani o meafaigaluega MBE, maualuga le mama, maualalo o le mamafa ma ultra-mama vai nitrogen e manaʻomia e faʻaauau pea ma stably feaveaʻi i le potu malulu o meafaigaluega. I se tulaga lautele, o se tane e maua ai le nitrogen vai o loʻo i ai le mamafa o le gaosiga i le va o le 0.3MPa ma le 0.8MPa. Liquid nitrogen i le -196 ℃ e faigofie ona faʻafefe i le nitrogen i le taimi o felauaiga paipa. O le taimi lava e gasified le nitrogen vai ma le fua o le kasa-suavai e uiga i le 1:700 i totonu o le paipa, o le a nofoia se aofaiga tele o le suavai maua avanoa tafe ma faaitiitia le tafe masani i le faaiuga o le paipa nitrogen vai. E le gata i lea, i totonu o le tane vai e teu ai le nitrogen, e foliga mai o loʻo i ai otaota e leʻi faʻamamaina. I totonu o le paipa vai, o le i ai o le ea susu o le a taʻitaʻia ai foi le faʻatupuina o le aisa. Afai e lafoaia nei mea leaga i totonu o masini, o le a mafua ai le faaleagaina e le mafaamatalaina o meafaigaluega.
O le mea lea, o le vai o le nitrogen i totonu o le tane e teu ai fafo o loʻo feaveaʻi i masini MBE i le faleaoga e leai se pefu ma le maualuga maualuga, mautu ma mama, ma le maualalo o le mamafa, leai ni faʻamaʻi, leai ni mea leaga, 24 itula e le faʻalavelaveina, o sea faiga faʻatonutonu felauaiga e. se oloa agavaa.
Fa'afetaui meafaigaluega MBE
Talu mai le 2005, HL Cryogenic Equipment (HL CRYO) o loʻo faʻaleleia ma faʻaleleia lenei faiga ma galulue faʻatasi ma kamupani gaosi oloa MBE faavaomalo. MBE gaosi meafaigaluega, e aofia ai DCA, REBER, i ai sootaga felagolagomai ma la tatou kamupani. MBE gaosi meafaigaluega, e aofia ai DCA ma REBER, ua galulue faatasi i le tele o galuega faatino.
Riber SA ose ta'uta'ua i le lalolagi e tu'uina atu oloa molecular beam epitaxy (MBE) ma auaunaga fa'afeso'ota'i mo su'esu'ega semiconductor tu'ufa'atasi ma talosaga tau alamanuia. O le Riber MBE masini e mafai ona teuina ni vaega manifinifi o mea i luga o le substrate, ma le maualuga tele. O masini gaogao a le HL Cryogenic Equipment (HL CRYO) o loʻo faʻapipiʻiina i le Riber SA O meafaigaluega sili ona tele o Riber 6000 ma le laʻititi o le Compact 21. O loʻo i ai i se tulaga lelei ma ua iloa e tagata faʻatau.
O le DCA o le MBE ta'uta'ua i le lalolagi. Talu mai le 1993, ua fa'atinoina le atina'eina o faiga fa'ama'i, fa'avevela o le substrate antioxidant ma fa'apogai antioxidant. Mo lenei mafua'aga, ua filifilia e le tele o fale su'esu'e ta'uta'ua le tekonolosi DCA oxide. Composite semiconductor MBE faiga fa'aoga i le lalolagi atoa. O le VJ liquid nitrogen circulating system of HL Cryogenic Equipment (HL CRYO) ma meafaigaluega MBE o le tele o faʻataʻitaʻiga o DCA o loʻo i ai le poto masani i le tele o galuega faatino, e pei o le P600, R450, SGC800 ma isi.
Laulau o Galuega
Shanghai Institute of Technical Physics, Saina Academy of Sciences |
Le 11th Institute of China Electronics Technology Corporation |
Inisetiute o Semiconductors, Saina Academy o Saienisi |
Huawei |
Alibaba DAMO Academy |
Powertech Technology Inc. |
Delta Electronics Inc. |
Suzhou Everbright Photonics |
Taimi meli: Me-26-2021